金融界2024年12月12日音讯,国家知识产权局信息数据显现,安徽万磁电子股份有限公司请求一项名为“一种低硼高矫顽力的钕铁硼永磁体”的专利,公开号CN 119108173 A,请求日期为2024年10月。
专利摘要显现,本发明公开了一种低硼高矫顽力的钕铁硼永磁体及其制备办法,归于永磁体技术领域,该永磁体的制备办法有以下过程:以Pr、Fe、Cu、Ga为质料,经过线的甩带片,经过三头研磨机研磨,得到Pr65Cu25合金粉末和Pr65Fe30Ga5合金粉末,之后在氩气或氮气维护下,将两者混合,得到增加相粉末;将增加相粉末参加主相合金粉末中,参加润滑剂,混合、研磨、限制成型、等静压处理、烧结和回火处理即可,本发明选用低硼钕铁硼磁体质料制备主项合金粉末,以Pr、Fe、Al、Cu、Ga质料制备增加相粉末。取得的钕铁硼永磁体,具有较高的矫顽力以及磁功能。